All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน - Product Image 1

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน - Product Image 2

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน - Product Image 3

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน - Product Image 4

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน - Product Image 5

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน - Product Image 6

โลหะ6 8 12นิ้วกึ่งเวเฟอร์แหวนกรอบทำในไต้หวัน

฿116.41-126.39

MOQ: 100

แหวนฟิล์มเวเฟอร์สําหรับการประมวลผลที่มีความแม่นยําสูง - Product Image 1

แหวนฟิล์มเวเฟอร์สําหรับการประมวลผลที่มีความแม่นยําสูง - Product Image 2

แหวนฟิล์มเวเฟอร์สําหรับการประมวลผลที่มีความแม่นยําสูง - Product Image 3

แหวนฟิล์มเวเฟอร์สําหรับการประมวลผลที่มีความแม่นยําสูง - Product Image 4

แหวนฟิล์มเวเฟอร์สําหรับการประมวลผลที่มีความแม่นยําสูง - Product Image 5

แหวนฟิล์มเวเฟอร์สําหรับการประมวลผลที่มีความแม่นยําสูง

฿112.08-138.69

MOQ: 100

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 1

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 2

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 3

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 4

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 5

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 6

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง

฿99.78-425.71

MOQ: 100

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ที่มีโครงสร้างนาโน TMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์การผลิตจำนวนมากยุคใหม่ - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ที่มีโครงสร้างนาโน TMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์การผลิตจำนวนมากยุคใหม่ - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ที่มีโครงสร้างนาโน TMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์การผลิตจำนวนมากยุคใหม่ - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ที่มีโครงสร้างนาโน TMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์การผลิตจำนวนมากยุคใหม่

฿59,864.51-73,167.74

MOQ: 1

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก - Product Image 1

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก - Product Image 2

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก - Product Image 3

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก

฿59,864.51-73,167.74

MOQ: 1

กรอบฟิล์มเวเฟอร์ - Product Image 1

กรอบฟิล์มเวเฟอร์ - Product Image 2

กรอบฟิล์มเวเฟอร์ - Product Image 3

กรอบฟิล์มเวเฟอร์ - Product Image 4

กรอบฟิล์มเวเฟอร์ - Product Image 5

กรอบฟิล์มเวเฟอร์

฿112.08-138.69

MOQ: 100

กรอบสแตนเลส12นิ้ว - Product Image 1

กรอบสแตนเลส12นิ้ว - Product Image 2

กรอบสแตนเลส12นิ้ว - Product Image 3

กรอบสแตนเลส12นิ้ว - Product Image 4

กรอบสแตนเลส12นิ้ว

฿83.15-133.04

MOQ: 100

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง สำหรับการผลิตจำนวนมาก เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง สำหรับการผลิตจำนวนมาก เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง สำหรับการผลิตจำนวนมาก เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง สำหรับการผลิตจำนวนมาก เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿59,864.51-73,167.74

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: