All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

แผ่นยึดเซมิคอนดักเตอร์ขนาด12นิ้ววัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 1

แผ่นยึดเซมิคอนดักเตอร์ขนาด12นิ้ววัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 2

แผ่นยึดเซมิคอนดักเตอร์ขนาด12นิ้ววัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 3

แผ่นยึดเซมิคอนดักเตอร์ขนาด12นิ้ววัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 4

แผ่นยึดเซมิคอนดักเตอร์ขนาด12นิ้ววัสดุกึ่งตัวนำ

฿14,664.91-14,864.88

MOQ: 1

หัวฉีดน้ำสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ความแม่นยำสูง โคโย (ฮาสเตลลอย) รุ่น P1-028 ญี่ปุ่น - Product Image 1

หัวฉีดน้ำสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ความแม่นยำสูง โคโย (ฮาสเตลลอย) รุ่น P1-028 ญี่ปุ่น - Product Image 2

หัวฉีดน้ำสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ความแม่นยำสูง โคโย (ฮาสเตลลอย) รุ่น P1-028 ญี่ปุ่น

฿49,993.98-66,658.64

MOQ: 1

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม. - Product Image 1

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม. - Product Image 2

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม. - Product Image 3

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม. - Product Image 4

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม. - Product Image 5

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม. - Product Image 6

ท่อ FEP PFA ความบริสุทธิ์สูง โปร่งใส ยืดหยุ่น ทนความร้อนสูง ทนแรงดันสูง สำหรับสารเคมีและเซมิคอนดักเตอร์ ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน 0.6-260 มม.

฿4.67-9.34

MOQ: 100

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน - Product Image 1

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน - Product Image 2

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน - Product Image 3

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน - Product Image 4

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน - Product Image 5

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน - Product Image 6

ชิปเลเซอร์ NK แบบหลอดเดี่ยว 1940 นาโนเมตร 1 วัตต์ CW แบบเซมิคอนดักเตอร์ สำหรับติดตั้งในอุปกรณ์ทางการแพทย์และเครื่องสำอาง ผลิตในประเทศจีน

฿7,999.04-8,332.33

MOQ: 1

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 5

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 6

ซิลิกอนไดออกไซด์เกรดวิจัย SiO2 ทนกรด 99.9% ยี่ห้อ WOBO รุ่น 4N จุดหลอมเหลว 1610 องศาเซลเซียส สำหรับเซมิคอนดักเตอร์

฿3,499.58-3,999.52

MOQ: 1

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O - Product Image 1

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O - Product Image 2

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O - Product Image 3

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O - Product Image 4

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O - Product Image 5

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O - Product Image 6

ไมโครคอนโทรลเลอร์ ML620Q134B-NNNTD07GL NX-U16 100 ML620Q100 16บิต32MHz 8KB (4K x 16) แฟลช20-TSSOP พื้นผิว14 I/O

฿86.66-109.66

MOQ: 1

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm - Product Image 1

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm - Product Image 2

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm - Product Image 3

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm - Product Image 4

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm - Product Image 5

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm - Product Image 6

เครื่องเลเซอร์ไดโอดแบบพกพา 2000W 10 บาร์ ระดับมืออาชีพ กำจัดขนถาวรด้วยไฟฟ้า ฟื้นฟูผิว เซมิคอนดักเตอร์ 808nm

฿79,957.04-89,655.88

MOQ: 1

LM10CLH วงจรขยายสัญญาณกำลังต่ำของเนชั่นแนล เซมิคอนดักเตอร์-ชุด 3 ชิ้น - Product Image 1

LM10CLH วงจรขยายสัญญาณกำลังต่ำของเนชั่นแนล เซมิคอนดักเตอร์-ชุด 3 ชิ้น

฿1,833.12

MOQ: 2

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: