All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 1

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 2

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 3

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 4

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 5

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง - Product Image 6

แหวนไดซิงที่กำหนดเอง

฿98.65-420.89

MOQ: 100

Raynext BT101A 2D WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, โลหะไดแคลโคเจไนด์สำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโน - Product Image 1

Raynext BT101A 2D WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, โลหะไดแคลโคเจไนด์สำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโน - Product Image 2

Raynext BT101A 2D WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, โลหะไดแคลโคเจไนด์สำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโน - Product Image 3

Raynext BT101A 2D WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, โลหะไดแคลโคเจไนด์สำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโน - Product Image 4

Raynext BT101A 2D WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, โลหะไดแคลโคเจไนด์สำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโน

฿19,728.84-24,661.05

MOQ: 1

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง - Product Image 1

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง - Product Image 2

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง - Product Image 3

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง - Product Image 4

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง - Product Image 5

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง - Product Image 6

IC ดั้งเดิม HGC1210R5107M160NSVK ใหม่มีความน่าเชื่อถือสูงเข้ากันได้กว้าง

฿1.98-3.95

MOQ: 1

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 1

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 2

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 3

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET

฿59,186.52-72,339.08

MOQ: 1

หัวฝักบัวอาบน้ำที่มีความแม่นยำสูงชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผลิตภัณฑ์การผลิตกึ่งตัวนำของญี่ปุ่น - Product Image 1

หัวฝักบัวอาบน้ำที่มีความแม่นยำสูงชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผลิตภัณฑ์การผลิตกึ่งตัวนำของญี่ปุ่น - Product Image 2

หัวฝักบัวอาบน้ำที่มีความแม่นยำสูงชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผลิตภัณฑ์การผลิตกึ่งตัวนำของญี่ปุ่น

฿49,322.10-65,762.80

MOQ: 1

มาตรฐานอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูง สำหรับการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 1

มาตรฐานอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูง สำหรับการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 2

มาตรฐานอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูง สำหรับการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 3

มาตรฐานอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูง สำหรับการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET

฿59,186.52-72,339.08

MOQ: 1

กรอบโลหะวงแหวนกึ่งเวเฟอร์สำหรับ6 inches - Product Image 1

กรอบโลหะวงแหวนกึ่งเวเฟอร์สำหรับ6 inches - Product Image 2

กรอบโลหะวงแหวนกึ่งเวเฟอร์สำหรับ6 inches - Product Image 3

กรอบโลหะวงแหวนกึ่งเวเฟอร์สำหรับ6 inches - Product Image 4

กรอบโลหะวงแหวนกึ่งเวเฟอร์สำหรับ6 inches - Product Image 5

กรอบโลหะวงแหวนกึ่งเวเฟอร์สำหรับ6 inches

฿100.95-137.12

MOQ: 100

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความแม่นยำสูง สำหรับการผลิตชิ้นส่วน MOSFET - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความแม่นยำสูง สำหรับการผลิตชิ้นส่วน MOSFET - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความแม่นยำสูง สำหรับการผลิตชิ้นส่วน MOSFET - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความแม่นยำสูง สำหรับการผลิตชิ้นส่วน MOSFET

฿59,186.52-72,339.08

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: