All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ Rd70huf ทรานซิสเตอร์พลังงาน600V czchips GBJ1506 15A GBJ1506ทรานซิสเตอร์มอสเซต IGBT

฿0.0324-0.3235

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

L9302-AD อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P - Product Image 1

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P - Product Image 2

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P - Product Image 3

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P - Product Image 4

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P - Product Image 5

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P - Product Image 6

วงจรรวมไอซีแท้ QUAD 1.2A PEAK LOW SIDE MOSFET D 16 SOlC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MIC4468CWM TR สำหรับการจัดการพลังงาน (P

฿10.68-21.03

สั่งขั้นต่ำ: 233 ชิ้น

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

RGPR30BM40HRTL อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

CM800DZ-34H อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock - Product Image 1

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock - Product Image 2

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock - Product Image 3

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock - Product Image 4

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock - Product Image 5

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock - Product Image 6

Transistors BUK9Y58-75B,115 Electronics Components Online MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 LFPAK56, Power-SO8 BOM IC In Stock

฿8.09-15.85

สั่งขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

JF062SB2TMPR อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว - Product Image 1

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว - Product Image 2

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว - Product Image 3

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว - Product Image 4

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว - Product Image 5

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว - Product Image 6

Mosfet N-Channel H6327 BSP149-การสลับพลังงานต่ำสำหรับระบบฝังตัว

฿16.18

สั่งขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: