All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

BYV28-200อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

BSL-02อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

SJ1238HA2 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ไดโอด400V czchip IGBT 20A MURF2040CTR ทรานซิสเตอร์พลังงานมอส MURF2040CTR

฿0.0324-0.3235

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

NS5-MQ10B อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส - Product Image 1

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส - Product Image 2

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส - Product Image 3

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส - Product Image 4

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส - Product Image 5

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส - Product Image 6

Czchips 25A GBU2510 1000V ทรานซิสเตอร์พลังงาน13005ทรานซิสเตอร์ IGBT GBU2510ทรานซิสเตอร์มอส

฿0.0324-0.3235

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) - Product Image 1

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) - Product Image 2

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) - Product Image 3

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) - Product Image 4

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) - Product Image 5

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) - Product Image 6

FDMS8027S พลังงานใหม่และดั้งเดิม-56-8ทรานซิสเตอร์ผลฟิลด์ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท)

฿39.14-142.63

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

4WR15021B1อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: