All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

ATMEGA32AU-TH อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO - Product Image 1

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO - Product Image 2

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO - Product Image 3

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO - Product Image 4

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO - Product Image 5

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO - Product Image 6

TZ430N22KOF อินเอฟ-อินอีออนมอสเฟทความถี่สูงที่ติดตั้งบนพื้นผิว-50C เพื่อ150C 530x465x427mm ที่ผ่านการรับรอง CE ISO

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 1

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 2

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 3

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 4

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 5

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 6

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม.

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 1

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 2

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 3

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 4

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 5

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 6

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0 - Product Image 1

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0 - Product Image 2

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0 - Product Image 3

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0 - Product Image 4

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0 - Product Image 5

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0 - Product Image 6

วงจรรวมราคา ABU / MOSFET 8 SOlC (0.154 นิ้ว, กว้าง 3.90 มม.) ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ของแท้ RJE0615JSP-00 # J0

฿22.49-65.56

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

PIC18F2520-I/SP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: