All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ นำ เข้า

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์35SZV10M5X5.5 SMD D5xL5.5mm 10uF 20% 35V 52.25mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D106M025AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 25V 130mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSR106K006R1000 รุ่น CASE-R-2012-12(มม.) ( ความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1D472MSEW ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

16TQC33MYFD ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 33uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1