All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ นำ เข้า

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MES333K2B3AS3035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 33nF 10% 520V

฿0.9575-3.52

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V

฿15.00-58.41

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR N6FJ5G8 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6383-2.88

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V

฿2.24-8.62

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C232J472J3SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 630V

฿2.56-9.90

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6383-2.88

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH681K26Y5PNEWL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 680pF 10% 1kV 5 มม.

฿0.6383-2.24

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A102JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 1nF 5% 100V

฿0.6383-3.20

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น