All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ใหม่แท้ 416.10.21 ตัวเก็บประจุมอเตอร์ 14uF 400V 36x70 มม. ตัวเก็บประจุแบบ I ในตัวเรือนพลาสติก มีสินค้าในสต็อก - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ใหม่แท้ 416.10.21 ตัวเก็บประจุมอเตอร์ 14uF 400V 36x70 มม. ตัวเก็บประจุแบบ I ในตัวเรือนพลาสติก มีสินค้าในสต็อก - Product Image 2

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ใหม่แท้ 416.10.21 ตัวเก็บประจุมอเตอร์ 14uF 400V 36x70 มม. ตัวเก็บประจุแบบ I ในตัวเรือนพลาสติก มีสินค้าในสต็อก - Product Image 3

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ใหม่แท้ 416.10.21 ตัวเก็บประจุมอเตอร์ 14uF 400V 36x70 มม. ตัวเก็บประจุแบบ I ในตัวเรือนพลาสติก มีสินค้าในสต็อก - Product Image 4

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ใหม่แท้ 416.10.21 ตัวเก็บประจุมอเตอร์ 14uF 400V 36x70 มม. ตัวเก็บประจุแบบ I ในตัวเรือนพลาสติก มีสินค้าในสต็อก

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 1

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 2

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 3

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 4

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 5

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 6

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV - Product Image 1

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV - Product Image 2

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV - Product Image 3

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV - Product Image 4

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV - Product Image 5

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV - Product Image 6

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดเรเดียล X7R จากไต้หวัน, 220PF ~ 0.27UF, 16V~1KV

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 2

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 3

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 4

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 5

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T110D226K050AS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8.9xL20 มม. 22uF 10% 50V 1โอห์ม@100kHz

฿536.58-1,586.88

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมนำแกน CA30 4.7UF 6.8UF 10UF 15UF 22uF 47uF 68uF 470uF 16V 50V 100V 125V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T322A105K020AT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D2.4xL6.6mm 1uF 10% 20V 10Ohm

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAP226M035SCS แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 22uF 20% 35V 1.3โอห์ม@100kHz

฿27.29-103.45

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1