All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG160M476H160S1AA ขนาด D10xL16 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 160V กระแสไฟ 675mA ความถี่ 100kHz

฿1.28-5.09

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A562J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 5.6nF 5% 100V

฿1.28-4.45

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

27nF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 1

27nF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 2

27nF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 3

27nF เก็บประจุเซรามิก hitano

฿37.15

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYGNA ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 5 มม.

฿1.91-7.31

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz - Product Image 1

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz - Product Image 2

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz - Product Image 3

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz - Product Image 4

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz - Product Image 5

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz - Product Image 6

3.3UF400VE110KM ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL11mm 3.3uF 20% 400V 40mA-120Hz

฿0.3176-1.91

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น CS1E680M-CRE54 ขนาด D6.3xL5.4 มม. 68uF 20% 25V 6.3 มม.

฿0.6351-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242A332J20C000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 3.3nF 5% 100V

฿1.28-4.45

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV 5 มม.

฿1.59-6.67

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น