All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ1uF 25V 10% จำนวน50ชิ้น AEC-Q200 55C - Product Image 1

Taiyo Yuden MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ1uF 25V 10% จำนวน50ชิ้น AEC-Q200 55C - Product Image 2

Taiyo Yuden MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ1uF 25V 10% จำนวน50ชิ้น AEC-Q200 55C - Product Image 3

Taiyo Yuden MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ1uF 25V 10% จำนวน50ชิ้น AEC-Q200 55C - Product Image 4

Taiyo Yuden MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ1uF 25V 10% จำนวน50ชิ้น AEC-Q200 55C - Product Image 5

Taiyo Yuden MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ1uF 25V 10% จำนวน50ชิ้น AEC-Q200 55C

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม LX2A153JD5B0070065035EOX ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 15nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ EEE1AA221XP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D6.3xL7.7mm 220uF 20% 10V 173mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9025D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A475M020AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E223J20A201 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 22nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NHA 400V10 ขนาด 10*20 มม. ความจุ 10uF 20% แรงดัน 400V กระแสไฟ 85mA ความถี่ 120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1