All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-Q7Y5V1D222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ขนาดขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1301E561MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 560uF 20% 25V 1.76A-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D332MC1IEE48E31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียม EEE1VA100AR SMD D5xL5.4mm 10uF 20% 35V 30mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HHXD500GRA101MJA0G อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10 มม. 100uF 20% 50V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V101AP, ขนาด D10xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 101mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M36Y5UR6BL7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10