All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกสูงแบบ MCAST21GSB7225KTNA01 Taiyo Yuden 50ชิ้น X7R 0805/2012 25V 2.2uF 10% 3K /r AEC-Q200

฿0.3192

สั่งขั้นต่ำ: 1 แพ็ค

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P12Y5V1D103MSEAT0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 3kV Y5V

฿1.92-8.30

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V157M010ATE018 CASE-V-7343-19(มม.) 150uF 20% 10V 18mOhm@100kHz

฿20.43-76.60

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46X7RN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿1.60-7.35

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330JC74DCH4B10MN ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 5% 50V 5.08 มม.

฿0.3192-1.28

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA55-B6R3M107TE150 รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) 100uF 20% 6.3V

฿4.47-17.88

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-15KV-DL07-F10-101K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม.

฿11.49-45.00

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45A-A-10V-10uF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 10uF 10% 10V 4โอห์ม@100kHz

฿1.92-7.35

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น