All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH100K22SL N6WL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 10pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 2

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 3

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 4

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 5

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น NPHC1101V221MJTM ขนาด D6.3xL11 มม. 220uF 20% 35V ขา 2.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MSC9 A176

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไดโยยูเดน LMK107BBJ106KALT MSASL168BB5106KTNB33 100ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก SMT - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไดโยยูเดน LMK107BBJ106KALT MSASL168BB5106KTNB33 100ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก SMT - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไดโยยูเดน LMK107BBJ106KALT MSASL168BB5106KTNB33 100ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก SMT - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไดโยยูเดน LMK107BBJ106KALT MSASL168BB5106KTNB33 100ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก SMT - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไดโยยูเดน LMK107BBJ106KALT MSASL168BB5106KTNB33 100ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก SMT - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไดโยยูเดน LMK107BBJ106KALT MSASL168BB5106KTNB33 100ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก SMT

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495B476K010ATE650 รุ่น 1411 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM - Product Image 1

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM - Product Image 2

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM - Product Image 3

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM - Product Image 4

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM - Product Image 5

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM - Product Image 6

EWH2WM470L25OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D16xL25mm 47uF 20% 450V 16MM

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1