All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

194885-Q03คาปาซิเตอร์ไฟฟ้ากิกะบิต3000uF 400V ของแท้ใหม่ - Product Image 1

194885-Q03คาปาซิเตอร์ไฟฟ้ากิกะบิต3000uF 400V ของแท้ใหม่ - Product Image 2

194885-Q03คาปาซิเตอร์ไฟฟ้ากิกะบิต3000uF 400V ของแท้ใหม่ - Product Image 3

194885-Q03คาปาซิเตอร์ไฟฟ้ากิกะบิต3000uF 400V ของแท้ใหม่ - Product Image 4

194885-Q03คาปาซิเตอร์ไฟฟ้ากิกะบิต3000uF 400V ของแท้ใหม่

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

39pF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 1

39pF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 2

39pF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 3

39pF เก็บประจุเซรามิก hitano

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 1

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 2

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 3

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 4

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 5

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 6

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก X7R 0603 (1608 เมตริก) 0.1uF 10% 50V ของ New Taiwan Electronic Components รุ่น CL10B104KB8NNNC

฿0.0318-0.3174

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิก TD 0603 SMD 0.1uF 25V X7R 10% พื้นผิวหลายชั้น MLCC สำหรับแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขนาดกะทัดรัดและโมดูล - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก TD 0603 SMD 0.1uF 25V X7R 10% พื้นผิวหลายชั้น MLCC สำหรับแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขนาดกะทัดรัดและโมดูล

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง EPPC1C221M0509BS แบบ Through Hole (THT), ขนาด D5xL9 มม. 220uF 20% 16V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางความเสถียรสูง ความสูญเสียต่ำ สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ FKS2F011001A00MC00 FKS2F011001A00

฿22.22-111.06

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุตสาหกรรมการบินและป้องกันภัย TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% AEC-Q200 MCAST168AB7105KTNA01 TMK107AB7105KAHT - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุตสาหกรรมการบินและป้องกันภัย TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% AEC-Q200 MCAST168AB7105KTNA01 TMK107AB7105KAHT - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุตสาหกรรมการบินและป้องกันภัย TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% AEC-Q200 MCAST168AB7105KTNA01 TMK107AB7105KAHT - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุตสาหกรรมการบินและป้องกันภัย TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% AEC-Q200 MCAST168AB7105KTNA01 TMK107AB7105KAHT - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุตสาหกรรมการบินและป้องกันภัย TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% AEC-Q200 MCAST168AB7105KTNA01 TMK107AB7105KAHT - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุตสาหกรรมการบินและป้องกันภัย TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% AEC-Q200 MCAST168AB7105KTNA01 TMK107AB7105KAHT

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1