All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

TAJC226K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A184KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 180nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22E334KN1B0120125055EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB474J100V82CL0041ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 470nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S154J40A40E ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 150nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494C226M010AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MPE103J100V82CL0048ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20