All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Pla pla

(มีสินค้า 999+ รายการ)

UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW - Product Image 1
UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW - Product Image 2
UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW - Product Image 3
UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW - Product Image 4
UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW - Product Image 5
UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW - Product Image 6

UC3843B SOP-8 ชิปควบคุม PWM โหมดกระแสไฟประสิทธิภาพสูง UMW

฿0.3338-2.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก. - Product Image 1
เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก. - Product Image 2
เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก. - Product Image 3
เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก. - Product Image 4
เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก. - Product Image 5
เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก. - Product Image 6

เส้นใยพิมพ์ 3 มิติ PA6-CF น้ำหนักสุทธิ 1 กก. PA6/ไนลอน 6 คาร์บอนไฟเบอร์ ความแข็งแรงดึง 1027 MPa สีดำ อุณหภูมิหลอมเหลว 223 องศาเซลเซียส ขั้นต่ำในการสั่งซื้อ 5 กก.

฿1,434.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2 ชิ้น
Miya WiseTech Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(2)
เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ - Product Image 1
เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ - Product Image 2
เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ - Product Image 3
เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ - Product Image 4
เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ - Product Image 5
เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ - Product Image 6

เส้นใยไนลอน PA6 ทนความร้อน LONGQI ขนาด 1.75 มม. น้ำหนัก 1 กก. สำหรับงานอุตสาหกรรม วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับเครื่องพิมพ์ 3 มิติ ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง PA6+ เส้นใย 3 มิติ

฿220.28-287.02
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 กิโลกรัม
LONG QI 3D COMPANY LIMITED
2 yrsVN flagVN3.9/5.0(4)
HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET - Product Image 1
HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET - Product Image 2
HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET - Product Image 3
HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET - Product Image 4
HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET - Product Image 5
HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET - Product Image 6

HY4008W 80V200A HY4008 TO-247 MOSFET

฿3.34-16.69
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns - Product Image 1
MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns - Product Image 2
MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns - Product Image 3
MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns - Product Image 4
MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns - Product Image 5
MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns - Product Image 6

MUR860G U860 MUR860 ไดโอดแบบเสียบตรง T0-220 8A 600V สองขา ไดโอดฟื้นตัวเร็วพิเศษ เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ 50ns

฿4.34-5.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร - Product Image 1
PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร - Product Image 2
PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร - Product Image 3
PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร - Product Image 4
PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร - Product Image 5
PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร - Product Image 6

PT26-51B/TR8 1206 แพ็คเกจหลอดรับสัญญาณอินฟราเรด 940 นาโนเมตร

฿0.3338-3.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM - Product Image 1
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM - Product Image 2
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM - Product Image 3
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM - Product Image 4
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM - Product Image 5
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM - Product Image 6

MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E FBGA-96 DDR SDRAM

฿2,566.50-2,569.83
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ - Product Image 1
MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ - Product Image 2
MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ - Product Image 3
MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ - Product Image 4
MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ - Product Image 5
MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ - Product Image 6

MT41K256M16TW-107 IT: P Silk Screen D9SHG FBGA-96 4Gb DDR3LSDRAMN ชิปหน่วยความจำ

฿3.34-33.38
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

varta v27aasta rasta x yunonam plaพระ รอด หนอง ม นtanacom rodแม็ ก 5 ก้าน สี ดำบอน สี ก้าน ดํา ราคาคันชีพพระ รอด อยุธยาaioushi rod3d printer filamentลำ ใย ไห ทองคำfep 3dpla plasticvarta v10gavarta v12gaบอน ก้าน ดํา ใบ เขียวคัน คี ลอย ด์