All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Photoresistor

(สินค้า 97 ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ GL7520F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.1 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 16 กิโลโอห์ม~50 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 540 นาโนเมตร

฿24.36-91.73

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL5530F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=3.4 มม. ความต้านทาน 5 มิลลิโอห์ม 45 กิโลโอห์ม~100 กิโลโอห์ม 150 โวลต์ 540 นาโนเมตร

฿25.62-97.11

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12516 แบบ Through Hole (THT), ระยะห่างระหว่างขา (P) = 9.5 มม. ค่าความต้านทาน 500kΩ 5kΩ~10kΩ แรงดันไฟฟ้า 250V ความยาวคลื่น 540nm

฿6.01-24.36

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm - Product Image 1

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm - Product Image 2

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm - Product Image 3

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm - Product Image 4

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm - Product Image 5

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm - Product Image 6

โฟโตรีซีสเตอร์ GL7516ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.1mm ตัวต้านทาน500Kohm 5Kohm ~ 10kOhm 150V 540nm

฿3.17-12.66

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบโฟโต้รีซิสเตอร์ชนิด Through Hole (THT) รุ่น A995012, ระยะขา P=3.3 มม., ค่าความต้านทาน 450kΩ, 18kΩ~44kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 530nm

฿8.23-32.90

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 1

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 2

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 3

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 4

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 5

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm - Product Image 6

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL5539(40-50), ระยะห่างขา P=3.4 มม., ค่าความต้านทาน 10mΩ ถึง 40kΩ~50kΩ, แรงดัน 150V, ความยาวคลื่น 540nm

฿0.9489-3.48

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบโฟโตเรซิสเตอร์ GL12510 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.6 มม. ค่าความต้านทาน 1 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม แรงดัน 150 โวลต์ ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร

฿37.96-138.22

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร - Product Image 1

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร - Product Image 2

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร - Product Image 3

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร - Product Image 4

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร - Product Image 5

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร - Product Image 6

ตัวต้านทานแสงแบบรูทะลุ (THT) รุ่น GL25528, ระยะขา P=20 มม., ความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม 10 กิโลโอห์ม~20 กิโลโอห์ม, แรงดัน 500 โวลต์, ความยาวคลื่น 560 นาโนเมตร

฿47.45-173.02

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: