All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ผ่าน

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UPA1E182MHD ขนาด D12.5xL25 มม. 1800uF 20% 25V 2.28A-100kHz

฿15.55-60.61

MOQ: 1

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A - Product Image 1

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A - Product Image 2

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A - Product Image 3

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A - Product Image 4

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A - Product Image 5

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A - Product Image 6

แหวนสี XR080125TS220MV1L/ตัวเหนี่ยวนำผ่านรูผ่านรู (THT),24.6x9.5มม. 22uH 10% 5A

฿19.68-74.26

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P5Y5P3D221KSEW ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 7.5 มม.

฿0.952-3.50

MOQ: 10

เซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบลำแสงรูปตัวยู ระบุตำแหน่งได้อย่างแม่นยำ สวิตช์โฟโตอิเล็กทริกแบบมีร่อง - Product Image 1

เซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบลำแสงรูปตัวยู ระบุตำแหน่งได้อย่างแม่นยำ สวิตช์โฟโตอิเล็กทริกแบบมีร่อง - Product Image 2

เซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบลำแสงรูปตัวยู ระบุตำแหน่งได้อย่างแม่นยำ สวิตช์โฟโตอิเล็กทริกแบบมีร่อง - Product Image 3

เซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบลำแสงรูปตัวยู ระบุตำแหน่งได้อย่างแม่นยำ สวิตช์โฟโตอิเล็กทริกแบบมีร่อง - Product Image 4

เซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบลำแสงรูปตัวยู ระบุตำแหน่งได้อย่างแม่นยำ สวิตช์โฟโตอิเล็กทริกแบบมีร่อง - Product Image 5

เซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบลำแสงรูปตัวยู ระบุตำแหน่งได้อย่างแม่นยำ สวิตช์โฟโตอิเล็กทริกแบบมีร่อง

฿59.98-84.41

MOQ: 1

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA - Product Image 1

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA - Product Image 2

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA - Product Image 3

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA - Product Image 4

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA - Product Image 5

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA - Product Image 6

XRHY6 * ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน8-202K-B ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) D8xL12mm 2mH 6.5Ohm 10% 110mA

฿0.952-3.18

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F222K69Y5RP63K7R ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 2.2nF 10% 2kV 7.5 มม.

฿19.36-73.30

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W11F1D332MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม.

฿1.59-6.67

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿1.27-5.08

MOQ: 10