All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ผ่าน

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม. - Product Image 1

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม. - Product Image 2

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม. - Product Image 3

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม. - Product Image 4

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม. - Product Image 5

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม. - Product Image 6

GF471M6R3F115A ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน D8xL11.5mm 470uF 20% 6.3V 3.5มม.

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P - Product Image 1

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P - Product Image 2

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P - Product Image 3

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P - Product Image 4

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P - Product Image 5

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P - Product Image 6

SSW-114-01-T-S Pin Socket Through hole Component (THT),P=2.54mm Connector 2.54mm Through Hole Single Row 14P

฿36.41-132.98

MOQ: 1

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V - Product Image 1

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V - Product Image 2

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V - Product Image 3

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V - Product Image 4

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V - Product Image 5

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V - Product Image 6

วาริสเตอร์ 20E471K แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ตัวต้านทาน 775V 385V 300V

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6DL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.3166-1.90

MOQ: 20

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V - Product Image 1

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V - Product Image 2

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V - Product Image 3

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V - Product Image 4

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V - Product Image 5

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V - Product Image 6

วาริสเตอร์14D511K ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm ตัวต้านทาน510V 845V 415V 320V

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm - Product Image 1

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm - Product Image 2

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm - Product Image 3

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm - Product Image 4

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm - Product Image 5

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm - Product Image 6

TM1081AMF162RB ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบรู (THT) D10xL16mm 1000uF 20% 10V 5mm

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz - Product Image 1

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz - Product Image 2

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz - Product Image 3

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz - Product Image 4

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz - Product Image 5

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz - Product Image 6

UPW1E100MDD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูส่วนประกอบ THT D5xL11mm 10uF 20% 25V 180mA-100kHz

฿1.90-7.60

MOQ: 1

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V - Product Image 1

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V - Product Image 2

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V - Product Image 3

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V - Product Image 4

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V - Product Image 5

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V - Product Image 6

ตัวต้านทานผ่านรูแบบ CFR0W4J0204A50ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) ฟิล์มคาร์บอน D2.2xL6.5mm 200Kohm 5% 250V

฿0.0634-0.3166

MOQ: 10