All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TC212A226K004Y รุ่น CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 4V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น N06B1B331KN0B0S0N0, ระยะขา (P=5 มม.), ความจุ 330pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 1kV, ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF153P2J3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 15nF 10% 630V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS11ZU2GA472MYNKA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% ขนาด 7.5 มม. Z5U

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1