All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G223J2SC000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 5% 400V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER3045 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 47nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD102ZYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF ±20%~+80% 2kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCG471K34Y5PV6VK7AY ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6kV ขนาดขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFC3A224JI1I220U9100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 220nF 5% 1kV โพรพิลีน

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A474KP8NNNC ขนาด 0603 (ค่าความจุ: 470nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 10V)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S474KN138120155065EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF 10% แรงดัน 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1