All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH332K53Y5PP65L0A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV - Product Image 1

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV - Product Image 2

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV - Product Image 3

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV - Product Image 4

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV - Product Image 5

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV - Product Image 6

S203M75Z5UN63J0R ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูส่วนประกอบผ่านรู (THT) 20nF Z5U 20% 1kV

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

TC211B475M035Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10