All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม.

฿0.3176-0.9526

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม F931C336KBAAHA รุ่น CASE-B-3428-12(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿3.50-13.66

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M477E11BS1AA ขนาด D6.3xL11 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 10V กระแสไฟ 600mA ความถี่ 100kHz

฿0.3176-1.28

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm - Product Image 1

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm - Product Image 2

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm - Product Image 3

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm - Product Image 4

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm - Product Image 5

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm - Product Image 6

EGF107M1EE11RR ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูชิ้นส่วน THT D6.3xL11mm 100uF 20% 25V 2.5mm

฿0.9526-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E470JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿0.9526-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S471K29X7RP63K5R ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 470pF 10% 2kV ระยะขา 5 มม.

฿1.91-8.26

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W372S474JK6L00F0DC แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿1.59-6.67

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz - Product Image 1

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz - Product Image 2

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz - Product Image 3

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz - Product Image 4

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz - Product Image 5

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz - Product Image 6

EGS2GM100G16OT ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D10xL16mm 10uF 20% 400V 225mA-100kHz

฿1.28-5.40

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น