All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC MSAST32MAB5476MPNDT1 SMD 1210/3225 25V X5R 47uF 20% คุณภาพสูง55C เกาหลี

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K050T ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ TAIYO YUDEN 4.7uF 25V X7R 0805/2012 SMD MSAST21GAB7475KTNA01 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ TAIYO YUDEN 4.7uF 25V X7R 0805/2012 SMD MSAST21GAB7475KTNA01 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ TAIYO YUDEN 4.7uF 25V X7R 0805/2012 SMD MSAST21GAB7475KTNA01 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ TAIYO YUDEN 4.7uF 25V X7R 0805/2012 SMD MSAST21GAB7475KTNA01 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ TAIYO YUDEN 4.7uF 25V X7R 0805/2012 SMD MSAST21GAB7475KTNA01 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ TAIYO YUDEN 4.7uF 25V X7R 0805/2012 SMD MSAST21GAB7475KTNA01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

฿127.88-414.73

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม PXTD006M337E045STU รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

TAJC156K035RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2312 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2C023301A00KSSD ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1