All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Niko and

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ชิ้นส่วน BOM ไอซีแฟลช 256MBIT แบบขนาน 56TSOP S29GL256N11TFA013 - Product Image 1

ชิ้นส่วน BOM ไอซีแฟลช 256MBIT แบบขนาน 56TSOP S29GL256N11TFA013

฿582.99
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 8,000 ชิ้น
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
หน่วยความจำ - โมดูล MODULE DDR4 SDRAM 128GB 288LRDIMM MTA72ASS16G72LZ-3G2F1 - Product Image 1

หน่วยความจำ - โมดูล MODULE DDR4 SDRAM 128GB 288LRDIMM MTA72ASS16G72LZ-3G2F1

฿717,204.23
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 8,000 ชิ้น
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
หน่วยความจำ - โมดูล MODULE DDR3 SDRAM 1GB 240RDIMM 78.01G3N.4000C - Product Image 1

หน่วยความจำ - โมดูล MODULE DDR3 SDRAM 1GB 240RDIMM 78.01G3N.4000C

฿5,875.16
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 8,000 ชิ้น
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
ชิ้นส่วน BOM ไอซีแฟลช 1MBIT SPI/DUAL 8USON MX25V1006FZUI - Product Image 1

ชิ้นส่วน BOM ไอซีแฟลช 1MBIT SPI/DUAL 8USON MX25V1006FZUI

฿28.52
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 8,000 ชิ้น
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ชิปหน่วยความจำ IC รุ่นใหม่ล่าสุด IS61C256AL-12JLI สำหรับการติดตั้งมาตรฐานที่แม่นยำ ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์

฿3.44
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB - Product Image 1
ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB - Product Image 2
ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB - Product Image 3
ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB - Product Image 4
ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB - Product Image 5
ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB - Product Image 6

ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

฿3.44
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
หน่วยความจำ - โมดูล MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM SQR-SD2I2G667MNFMB - Product Image 1

หน่วยความจำ - โมดูล MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM SQR-SD2I2G667MNFMB

฿13,261.87
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 8,000 ชิ้น
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃ - Product Image 1
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃ - Product Image 2
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃ - Product Image 3
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃ - Product Image 4
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃ - Product Image 5
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃ - Product Image 6

MT53E256M64D4NZ-053 WT:B หน่วยความจำ 16Gb LPDDR4 ความเร็ว 3733Mbps แบบ WFBGA-376 -30 ℃ ~85 ℃

฿3.44
Niko Industry INC
1 yrsUS flagUS

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

mirrorless 4kกล้องsonyฃ ง ลnikon f5nikon 100 500sony rx 100 viicanon 7d mark iia7 ivnikon z 105canon eos 50canon m6 mark iicanon compact cameraeos 750dง ช ฃ งrx100 vgemini kanonห น้ ง เอ็ กnikon d3200nikon z 5 iicanon 350d