All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

N mosfet

(มีสินค้า 999+ รายการ)

IRFZ24N IRFZ24NPBF TO-220 N-CH 55V/17A มอสเฟต - Product Image 1

IRFZ24N IRFZ24NPBF TO-220 N-CH 55V/17A มอสเฟต

฿7.37

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

Meratech Limited

1 yrs

HK

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์ - Product Image 1

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์ - Product Image 2

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์ - Product Image 3

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์ - Product Image 4

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์ - Product Image 5

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์ - Product Image 6

MOSFET รุ่น2N7002, 215แบบ SOT-23ชนิดช่อง N แรงดันรับสูงสุด60โวลต์กระแสขาออกสูงสุด300มิลลิแอมป์ความต้านทานในสถานะเปิด5โอห์มที่แรงดันไตรเกอร์10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า830มิลลิวัตต์แรงดันไตรเกอร์เริ่มต้น2.5โวลต์ค่าความจุระหว่างขั้ว50พิโคฟารัดและ3.5พิโคฟารัดช่วงอุณหภูมิใช้งาน −65℃ ถึง +150℃ ค่าความจุรวม6.8พิโคฟารัดทนแรงดันย้อนกลับได้ ±30โวลต์ทรานซิสเตอร์

฿0.2911-0.7307

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HONGKONG SMARE TRADING LIMITED

1 yrs

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต IRFS7530TRL7PP - Product Image 1

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต IRFS7530TRL7PP - Product Image 2

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต IRFS7530TRL7PP - Product Image 3

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต IRFS7530TRL7PP - Product Image 4

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต IRFS7530TRL7PP - Product Image 5

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต IRFS7530TRL7PP

฿17.42

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED

1 yrs

Ntmfs5c430nlt1g ทรานซิสเตอร์มอสเฟท40V 200A N แชนเนลติดพื้นผิว Qfn5 - Product Image 1

Ntmfs5c430nlt1g ทรานซิสเตอร์มอสเฟท40V 200A N แชนเนลติดพื้นผิว Qfn5 - Product Image 2

Ntmfs5c430nlt1g ทรานซิสเตอร์มอสเฟท40V 200A N แชนเนลติดพื้นผิว Qfn5 - Product Image 3

Ntmfs5c430nlt1g ทรานซิสเตอร์มอสเฟท40V 200A N แชนเนลติดพื้นผิว Qfn5 - Product Image 4

Ntmfs5c430nlt1g ทรานซิสเตอร์มอสเฟท40V 200A N แชนเนลติดพื้นผิว Qfn5

฿37.86

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2 ชิ้น

ZZRS INDUSTRY LIMITED

1 yrs

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A - Product Image 1

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A - Product Image 2

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A - Product Image 3

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A - Product Image 4

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A - Product Image 5

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A - Product Image 6

Jekevi ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่นใหม่แท้ IPW65R110CFD 65F6110 ชนิด N-Channel แพ็คเกจ TO-247 75V 80A

฿16.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

Jekevi Electronics Limited

1 yrs

HK

ทรานซิสเตอร์กำลัง BSC052N03LS แบบ TDSON-8 ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว SMD สำหรับการสลับวงจร MOSFET ชนิด N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์กำลัง BSC052N03LS แบบ TDSON-8 ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว SMD สำหรับการสลับวงจร MOSFET ชนิด N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

฿13.07-42.21

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD

2 yrs

SG

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L

฿13.40-56.95

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก - Product Image 1

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก - Product Image 2

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก - Product Image 3

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก - Product Image 4

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก - Product Image 5

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก - Product Image 6

ชิปวงจรรวม2N7002W SOT323 N 60V แบบ13.5OHM ดั้งเดิมใหม่ล่าสุดมีในสต็อก

฿6.70-33.50

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ApexCore HK Technology Limited

1 yrs