All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

BS8141-0 อินฟ-อินีออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

EOCRSS-05RU อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

R2E225-BE47-09 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

PIC16C63A-04/SP Inf-Inf-ineon มอสเฟทความถี่สูงที่ยึดพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

SSH10N90A อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

TGAN30N135FD1 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

NX4827P043-011C-Y อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: