All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Mosfet p

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น BSC030P03NS3G MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3 - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น BSC030P03NS3G MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่ - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่ - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่ - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่ - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่ - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่ - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ NCE3401AY-P SOT-23แบบดั้งเดิมและใหม่

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ - Product Image 1

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ - Product Image 2

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ - Product Image 3

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ - Product Image 4

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ - Product Image 5

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ - Product Image 6

Mosfet DFN แผงวงจรสำหรับสัมผัสแปดช่อง, HSBB6115 P Channel เปิด RDS ต่ำอย่างรวดเร็วสำหรับสวิตช์โหลดการควบคุมเส้นทางพลังงานป้องกันแบบย้อนกลับ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 6

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ - Product Image 1

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ - Product Image 2

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ - Product Image 3

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ - Product Image 4

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ - Product Image 5

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ - Product Image 6

มอสเฟทเกรด IPD85P04P4L06ATMA1 P-Channel ความต้านทานต่ำ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง - Product Image 1

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง - Product Image 2

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง - Product Image 3

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง - Product Image 4

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง - Product Image 5

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง - Product Image 6

IRF7416TRPBF P Channel มอสเฟท30 V 10 A 8 LOW Rds สวิตช์เปิดสวิตซ์เร็ว SOIC สำหรับการกระจายพลังงานสูงด้านข้าง

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์363ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) ใหม่และดั้งเดิม FDG6308P-P

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching - Product Image 1

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching - Product Image 2

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching - Product Image 3

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching - Product Image 4

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching - Product Image 5

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching - Product Image 6

BS2101F-E2 MOSFET P-Channel for Low-Power Switching

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH - Product Image 1

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH - Product Image 2

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH - Product Image 3

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH - Product Image 4

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH - Product Image 5

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH - Product Image 6

ชิปอนุสรณ์ czchip ใหม่4.2A 30V TO236AB MOSFet ชิป PMV50EPEAR P-CH

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: