All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Monolith

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 รุ่น X7R 25V ความคลาดเคลื่อน 10% แบบโมโนลิธิก - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 รุ่น X7R 25V ความคลาดเคลื่อน 10% แบบโมโนลิธิก - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 รุ่น X7R 25V ความคลาดเคลื่อน 10% แบบโมโนลิธิก - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 รุ่น X7R 25V ความคลาดเคลื่อน 10% แบบโมโนลิธิก - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 รุ่น X7R 25V ความคลาดเคลื่อน 10% แบบโมโนลิธิก - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 รุ่น X7R 25V ความคลาดเคลื่อน 10% แบบโมโนลิธิก

฿504.38
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น 1H473KC9B-R1-EE-ZNR แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 47nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R

฿0.662-2.98
MOQ: 20
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 1
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 2
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 3
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 4
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 5
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 6

TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ

฿0.3475-0.662
MOQ: 30
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-1000pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1nF, 10%, 63V

฿0.9929-3.65
MOQ: 10
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 1
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 2
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 3
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 4
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 5

Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll

฿0.139-0.331
MOQ: 40
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 1
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 2
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 3
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 4
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 5

Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า

฿1,151.72-1,201.36
MOQ: 10
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 1
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 2
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 3
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 4
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 5

TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน

฿1,576.00
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN MLCC แบบหลายชั้น โครงสร้างโมโนลิธิก คุณสมบัติความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เพิ่มความน่าเชื่อถือ แบบ SMT 1206/3216

฿0.7149-0.9929
MOQ: 20

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

line monomarble templem towermono monoroman pillarslighthousemoebiusthe domemoaimonocrystallinethe pillarsmono onlinepedimentthe medalliontaliondestonemonkyold monkmonimonita