All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Monolith

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V

฿0.9703-4.53
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิก SMD คุณสมบัติการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิก SMD คุณสมบัติการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิก SMD คุณสมบัติการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิก SMD คุณสมบัติการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิก SMD คุณสมบัติการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิก SMD คุณสมบัติการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T

฿1,540.12
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagTW
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-33pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 33pF, 5%, 50V

฿0.9703-4.53
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V

฿1.30-5.18
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น C317C103K5R5TA7301 แบบ Through-Hole ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R

฿2.59-10.68
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 1
ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 2
ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 3
ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 4
ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 5
ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 6

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นที่มีโครงสร้างเสาหินผลิตภัณฑ์ความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น

฿0.3396-0.6469
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30
2 yrscountry flagTW
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1206-X5R-16V-10μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. 10uF 10% 16V X5R

฿12.29-48.52
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-M แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 63V

฿0.6469-2.92
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

line monomarble templem towermono monoroman pillarslighthousemoebiusthe domemoaimonocrystallinethe pillarsmono onlinepedimentthe medalliontaliondestonemonkyold monkmonimonita