All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Monolith

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี - Product Image 1
Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี - Product Image 2
Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี - Product Image 3
Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี - Product Image 4
Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี - Product Image 5
Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี - Product Image 6

Taiyo ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นโครงสร้างเสาหิน1206/3216ขนาด X5R 16V 47uF 20% ความอดทนบรรจุภัณฑ์ SMD เกาหลี

฿4,788.25-5,040.28
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-30pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 30pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V

฿0.9923-4.64
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B681K500PF3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 680pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, ความต้านทาน X7R

฿0.6615-3.31
MOQ: 20
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1H224KC9BER1E000 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 220nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R

฿0.9923-3.31
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-560pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V

฿1.33-5.63
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R

฿0.9923-3.64
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D472MD9IER1I100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 2kV, ความต้านทาน X7R

฿10.92-43.33
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น CD1H334KC9IER1E100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 330nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R

฿0.6615-2.32
MOQ: 20

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

line monomarble templem towermono monoroman pillarslighthousemoebiusthe domemoaimonocrystallinethe pillarsmono onlinepedimentthe medalliontaliondestonemonkyold monkmonimonita