All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Monolith

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72A104K1M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 100V, รุ่น X7R

฿4.31-16.55
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER71H104K0S1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=2.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 50V, รุ่น X7R

฿3.65-14.24
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-50V-20pF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 20pF, 5%, 50V

฿0.9929-4.31
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDER72J152K2M1H03A แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5 มม., ความจุ 1.5nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R

฿10.60-41.04
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805-2F4-63V-0.1μF-S แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 100nF ±20%~+50% 63V

฿0.662-3.31
MOQ: 20
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกไดอิเล็กทริกสูงขนาด0603/1608 25V ทนทานต่อ10% MSAST168SB7105KTNA01 SMD - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกไดอิเล็กทริกสูงขนาด0603/1608 25V ทนทานต่อ10% MSAST168SB7105KTNA01 SMD - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกไดอิเล็กทริกสูงขนาด0603/1608 25V ทนทานต่อ10% MSAST168SB7105KTNA01 SMD - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกไดอิเล็กทริกสูงขนาด0603/1608 25V ทนทานต่อ10% MSAST168SB7105KTNA01 SMD - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกไดอิเล็กทริกสูงขนาด0603/1608 25V ทนทานต่อ10% MSAST168SB7105KTNA01 SMD - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกไดอิเล็กทริกสูงขนาด0603/1608 25V ทนทานต่อ10% MSAST168SB7105KTNA01 SMD

฿0.1225-0.331
MOQ: 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G

฿1.99-7.62
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น

฿0.1225-0.331
MOQ: 4

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

line monomarble templem towermono monoroman pillarslighthousemoebiusthe domemoaimonocrystallinethe pillarsmono onlinepedimentthe medalliontaliondestonemonkyold monkmonimonita