All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Monolith

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น K100J15C0GF5TL2 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.5 มม. 10pF 5% 50V C0G

฿2.00-7.67
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง TAIYO YUDEN ขนาด 0603/1608 แบบ SMD ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 25V หมายเลขรุ่น

฿0.1234-0.3333
MOQ: 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น KTD101B225K32A0B00 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม.

฿22.34-84.66
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) แบบ Through-Hole รุ่น 05B223K500BF3C1H0R ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R

฿0.9999-3.34
MOQ: 10
CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V - Product Image 1
CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V - Product Image 2
CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V - Product Image 3
CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V - Product Image 4
CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V - Product Image 5
CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V - Product Image 6

CD2A104K0DPHR1E000ตัวเก็บประจุเซรามิกเสาหินผ่านรู (MLCC) ผ่านรู D3xL4.6mm 100nF X7R 10% 100V

฿0.3333-2.00
MOQ: 20
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น RDE5C1H103J1M1H03A แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V รุ่น C0G

฿7.34-28.67
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-0805B223K500F3-Y แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10%

฿0.3333-0.9999
MOQ: 20
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบมีอิเล็กทริกสูงได้รับการรับรองจาก Taiyo Yuden 0603/1608 SMD 25V 10% -55C + 125C - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบมีอิเล็กทริกสูงได้รับการรับรองจาก Taiyo Yuden 0603/1608 SMD 25V 10% -55C + 125C - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบมีอิเล็กทริกสูงได้รับการรับรองจาก Taiyo Yuden 0603/1608 SMD 25V 10% -55C + 125C - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบมีอิเล็กทริกสูงได้รับการรับรองจาก Taiyo Yuden 0603/1608 SMD 25V 10% -55C + 125C - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบมีอิเล็กทริกสูงได้รับการรับรองจาก Taiyo Yuden 0603/1608 SMD 25V 10% -55C + 125C - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบมีอิเล็กทริกสูงได้รับการรับรองจาก Taiyo Yuden 0603/1608 SMD 25V 10% -55C + 125C

฿0.1234-0.3333
MOQ: 4

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

line monomarble templem towermono monoroman pillarslighthousemoebiusthe domemoaimonocrystallinethe pillarsmono onlinepedimentthe medalliontaliondestonemonkyold monkmonimonita