All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Monolith

(มีสินค้า 999+ รายการ)

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216แพคเกจอุปกรณ์สื่อสาร - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216แพคเกจอุปกรณ์สื่อสาร - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216แพคเกจอุปกรณ์สื่อสาร - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216แพคเกจอุปกรณ์สื่อสาร - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216แพคเกจอุปกรณ์สื่อสาร - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216แพคเกจอุปกรณ์สื่อสาร

฿4,848.86-5,103.36
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 1
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 2
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 3
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 4
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 5
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ - Product Image 6

TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ SMD 0805/2012 16V 4.7F X7R โครงสร้างโมโนลิธิกแบบไดอิเล็กทริกสูง ความคลาดเคลื่อน 10% สำหรับ

฿0.3517-0.6698
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ไทโย ยูเด็น แบรนด์ MSASJ168BB7475KTNA01 JMK107BB7475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง X7R โมโนลิธิก SMT 4.7UF - Product Image 1
ไทโย ยูเด็น แบรนด์ MSASJ168BB7475KTNA01 JMK107BB7475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง X7R โมโนลิธิก SMT 4.7UF - Product Image 2
ไทโย ยูเด็น แบรนด์ MSASJ168BB7475KTNA01 JMK107BB7475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง X7R โมโนลิธิก SMT 4.7UF - Product Image 3
ไทโย ยูเด็น แบรนด์ MSASJ168BB7475KTNA01 JMK107BB7475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง X7R โมโนลิธิก SMT 4.7UF - Product Image 4
ไทโย ยูเด็น แบรนด์ MSASJ168BB7475KTNA01 JMK107BB7475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง X7R โมโนลิธิก SMT 4.7UF - Product Image 5

ไทโย ยูเด็น แบรนด์ MSASJ168BB7475KTNA01 JMK107BB7475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง X7R โมโนลิธิก SMT 4.7UF

฿3,742.13-3,827.19
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Taiyo Yuden UMK212BB7225KG-T MSASU21GBB7225KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง B7 0805ตัวเก็บประจุ2.2UF 50V - Product Image 1
Taiyo Yuden UMK212BB7225KG-T MSASU21GBB7225KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง B7 0805ตัวเก็บประจุ2.2UF 50V - Product Image 2
Taiyo Yuden UMK212BB7225KG-T MSASU21GBB7225KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง B7 0805ตัวเก็บประจุ2.2UF 50V - Product Image 3
Taiyo Yuden UMK212BB7225KG-T MSASU21GBB7225KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง B7 0805ตัวเก็บประจุ2.2UF 50V - Product Image 4
Taiyo Yuden UMK212BB7225KG-T MSASU21GBB7225KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง B7 0805ตัวเก็บประจุ2.2UF 50V - Product Image 5

Taiyo Yuden UMK212BB7225KG-T MSASU21GBB7225KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง B7 0805ตัวเก็บประจุ2.2UF 50V

฿2,647.12-2,711.08
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 1
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 2
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 3
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 4
Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll - Product Image 5

Taiyo Yuden EMK107BJ225KA-T MSASE168SB5225KTNA01 SMT 0603 X5R 2.2UF 16V แรงดันไฟฟ้า16V ± 10% 4K /roll

฿0.1407-0.3349
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 40,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 1
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 2
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 3
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 4
Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า - Product Image 5

Taiyo Yuden ชิปเซรามิกหลายชั้นแบบ0805เสาหิน25V 4.7F 10% SMT ความน่าเชื่อถือสูงกว่า

฿1,165.34-1,215.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 1
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 2
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 3
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 4
TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน - Product Image 5

TAIYO YUDEN อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกดีอิเล็กทริกสูง 1206/3216 10% X7R 2000 ชิ้น/ม้วน

฿1,594.64
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R - Product Image 1
ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R - Product Image 2
ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R - Product Image 3
ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R - Product Image 4
ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R - Product Image 5
ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R - Product Image 6

ไตโยยูเด็นแบงก์ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างแบบโมโนลิธิกตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง SMT 1206 2.2µF 50V ความคลาดเคลื่อน ±10% X7R

฿0.6698-1.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

line monomarble templem towermono monoroman pillarslighthousemoebiusthe domemoaimonocrystallinethe pillarsmono onlinepedimentthe medalliontaliondestonemonkyold monkmonimonita