All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Mfr

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม - Product Image 1
วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม - Product Image 2
วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม - Product Image 3
วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม - Product Image 4
วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม - Product Image 5
วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม - Product Image 6

วงจรรวม IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ SA555DR 8-SOIC ของแท้8-SOIC 100kHz วงจรรวม

฿6.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
IC ONLINE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK3.6/5.0(7)
BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA - Product Image 1
BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA - Product Image 2
BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA - Product Image 3
BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA - Product Image 4
BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA - Product Image 5
BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA - Product Image 6

BAT54CLT1G ไดโอด Schottky ขนาด800mV/100mA 30V 200mA 2uA/25V -55 ℃ ~ + 125 ℃ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์600mA

฿0.2582-0.7128
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(2)
วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่ - Product Image 1
วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่ - Product Image 2
วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่ - Product Image 3
วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่ - Product Image 4
วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่ - Product Image 5
วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่ - Product Image 6

วงจรรวม VQFN-20-EP BQ24707ARGRR (3.5X3.5) ชิปวงจรรวมการจัดการแบตเตอรี่

฿176.62-546.18
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่ - Product Image 1
8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่ - Product Image 2
8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่ - Product Image 3
8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่ - Product Image 4
8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่ - Product Image 5
8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่ - Product Image 6

8-MSOP ทรานซิสเตอร์ # PBF LTC2057IMS8ใหม่

฿16.67-99.98
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
MEGA SOURCE ELEC. LIMITED
3 yrsHK flagHK4.9/5.0(23)
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

฿0.2103-0.4591
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 หน่วย
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(2)
ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ชิปวงจรรวม SOIC-8 ST490ABDR วงจรรวม RS-485/RS-422ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿27-101.31
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD - Product Image 1
STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD - Product Image 2
STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD - Product Image 3
STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD - Product Image 4
STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD - Product Image 5
STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD - Product Image 6

STGIB10CH60TS-LZ 15A ใหม่และดั้งเดิม IGBT IPM 600V 26-PWRDIP MOD

฿20.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KotenchipTechnology Co., Limited
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(5)
การเชื่อมต่อ TE 12VDC RT424F12 DPDT LATCHING Power Relay - Product Image 1
การเชื่อมต่อ TE 12VDC RT424F12 DPDT LATCHING Power Relay - Product Image 2
การเชื่อมต่อ TE 12VDC RT424F12 DPDT LATCHING Power Relay - Product Image 3

การเชื่อมต่อ TE 12VDC RT424F12 DPDT LATCHING Power Relay

฿119.97
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
GXT (HK) TRADE TECHNOLOGY CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ff vrfmomyfflrymffrapmr mrm32rmfwmr gumnumjcmhnsmntmrm fumanrfr4rfmvr