All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Memories

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ - Product Image 1

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ - Product Image 2

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ - Product Image 3

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ - Product Image 4

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ - Product Image 5

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ - Product Image 6

ข้อเสนอระยะยาว M393A4K40CB1-CRC หน่วยความจำแท้รุ่น BUK7Y4R8-60EX ชิปหน่วยความจำ MT41K256M16LY-107:N โมดูลหน่วยความจำ

฿189.65-630.04

MOQ: 1

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V - Product Image 1

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V - Product Image 2

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V - Product Image 3

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V - Product Image 4

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V - Product Image 5

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V - Product Image 6

MT41K512M8DA-107:P DDR3-1866 512Mx8หน่วยความจำวงจรรวม4GB 1.35V

฿39.90-54.78

MOQ: 1

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก - Product Image 1

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก - Product Image 2

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก - Product Image 3

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก - Product Image 4

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก - Product Image 5

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก - Product Image 6

VFBGA-78วงจรรวมแบรนด์ใหม่ดั้งเดิม NT5CC512M8EN-EK (8X10.5) ชิป IC ซิงโครนัสหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก

฿72.19-254.23

MOQ: 1

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม - Product Image 1

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม - Product Image 2

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม - Product Image 3

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม - Product Image 4

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม - Product Image 5

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม - Product Image 6

ชิปวงจรรวม H5TC4G83EFR-RDA แบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใหม่และดั้งเดิม

฿128.23-415.70

MOQ: 1

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

KLM4G1FETE-B041,KLM8G1GETF-B041,KLMAG1JETD-B041,KLMBG2JETD-B041,KLMCG4JETD-B041, ต้นฉบับใหม่, หน่วยความจำ, ICS, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿121.50-350.46

MOQ: 1

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM) - Product Image 1

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM) - Product Image 2

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM) - Product Image 3

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM) - Product Image 4

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM) - Product Image 5

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM) - Product Image 6

ชิปวงจรรวม H5AN8G6NDJR-XNC แบบไดนามิกใหม่ล่าสุดวงจรรวมหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (DRAM)

฿207.69-641.75

MOQ: 1

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD - Product Image 1

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD - Product Image 2

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD - Product Image 3

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD - Product Image 4

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD - Product Image 5

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD - Product Image 6

GD25Q128ESIGR หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจากประเทศจีน GD

฿12.04-75.99

MOQ: 5

00192 ไอ-บัตัน เมมโมรี่ 4 กิโลบิต SRAM โดย เมก้า เทรดเดอร์ส จำกัด ประเทศฟิลิปปินส์ - Product Image 1

00192 ไอ-บัตัน เมมโมรี่ 4 กิโลบิต SRAM โดย เมก้า เทรดเดอร์ส จำกัด ประเทศฟิลิปปินส์

฿791.50

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: