All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-6KV-07b-2b4-101K-2T3 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 6kV 7.5 มม.

฿0.3234-1.62

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FJ5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6467-2.27

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 400V

฿1.62-6.79

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9010C2TE3 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 10V )

฿6.15-23.61

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A334JD1B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿2.91-11.64

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJD686K016RNJ รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿11.00-43.01

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5P15FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.97-3.56

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 3B2A334JD5B0072075035ES0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿2.91-12.61

MOQ: 5