All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV102M070E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม.

฿0.3215-1.29

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J630VDCP15D2ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ

฿4.18-15.76

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V1E103MSEW ชนิด THT ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม.

฿3.22-12.86

MOQ: 5

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz - Product Image 1

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz - Product Image 2

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz - Product Image 3

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz - Product Image 4

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz - Product Image 5

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz - Product Image 6

EEETP1V101AP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10.2mm 100uF 20% 35V 175.5mA-120Hz

฿8.36-32.47

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 3.GL.2E1R0M0610TQC00 ขนาด D6.3xL10 มม. 1uF 20% 250V ขา 2.6 มม.

฿0.3215-1.93

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ UWD1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D8xL10mm 100uF 20% 50V 150mA-120Hz

฿10.29-40.83

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม.

฿2.58-9.97

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT1H221MG105000CE0 ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 50V 10 มม.

฿3.54-14.15

MOQ: 1