All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ CD294 ผลิตในไต้หวัน, แบบ Snap-in 10,000UF 100V สำหรับใช้กับเครื่องขยายเสียง

฿161.41-209.83

MOQ: 500

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น C10B1E102KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3.15kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿1.30-5.49

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม.

฿1.94-8.40

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม5% CL21-0.033uF160V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 33nF โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ160V

฿0.6457-1.94

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45B-A-16V-4.7UF-K รุ่น CASE-A-3216-16(มม.) 4.7uF 10% 16V 800nA@25 ° C,5นาที

฿2.59-10.01

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC336M016R0300 รุ่น CASE-C-6032-28(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿12.92-50.69

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T10F1D472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม.

฿1.94-7.43

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A08E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม.

฿1.62-6.46

MOQ: 5