All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J474J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 470nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿2.91-11.63

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQ-E2104JF ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V )

฿5.17-20.34

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-204J750VDCP15D9 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 200nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿10.01-39.71

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF152K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 1.5nF 10% 630V

฿1.30-6.14

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494B106K016AT 1411 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V

฿7.11-27.77

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM6R8M250F115A ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D8xL11.5 มม. 6.8uF 20% 250V ขา 3.5 มม.

฿0.3229-1.62

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-274K750VDCP15D7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 270nF 10% 750V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿1.30-4.52

MOQ: 5

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 1

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 2

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 3

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 4

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 5

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 6

HESC5R5224Z-V(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz

฿0.3229-1.62

MOQ: 1