All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง ขนาด 0805/2012 4.7uF 25V 10% รุ่น MSAST21GAB7475KTNA01/TMK212AB7475KG-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง ขนาด 0805/2012 4.7uF 25V 10% รุ่น MSAST21GAB7475KTNA01/TMK212AB7475KG-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง ขนาด 0805/2012 4.7uF 25V 10% รุ่น MSAST21GAB7475KTNA01/TMK212AB7475KG-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง ขนาด 0805/2012 4.7uF 25V 10% รุ่น MSAST21GAB7475KTNA01/TMK212AB7475KG-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง ขนาด 0805/2012 4.7uF 25V 10% รุ่น MSAST21GAB7475KTNA01/TMK212AB7475KG-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง ขนาด 0805/2012 4.7uF 25V 10% รุ่น MSAST21GAB7475KTNA01/TMK212AB7475KG-T

฿1,152.58

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 10uF 50V 10% SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 10uF 50V 10% SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 10uF 50V 10% SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 10uF 50V 10% SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 10uF 50V 10% SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 10uF 50V 10% SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P

฿1,814.60

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1D472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V

฿1.59-6.04

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08F1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿0.9526-4.13

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง 1210/3225 10uF 50V 10% X7R รุ่น SMD - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง 1210/3225 10uF 50V 10% X7R รุ่น SMD - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง 1210/3225 10uF 50V 10% X7R รุ่น SMD - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง 1210/3225 10uF 50V 10% X7R รุ่น SMD - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง 1210/3225 10uF 50V 10% X7R รุ่น SMD - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN ความน่าเชื่อถือสูง 1210/3225 10uF 50V 10% X7R รุ่น SMD

฿1,814.60

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ECA-1HM4R7I ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D5xL11 มม. 4.7uF 20% 50V 45mA-120Hz

฿1.28-6.04

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz - Product Image 1

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz - Product Image 2

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz - Product Image 3

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz - Product Image 4

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz - Product Image 5

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz - Product Image 6

DHG400M225E120S1AA ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 250mA-100kHz

฿0.3176-1.91

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกอุตสาหกรรมหลายชั้น TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 รุ่น X7R 10F 10% รุ่น MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกอุตสาหกรรมหลายชั้น TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 รุ่น X7R 10F 10% รุ่น MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกอุตสาหกรรมหลายชั้น TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 รุ่น X7R 10F 10% รุ่น MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกอุตสาหกรรมหลายชั้น TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 รุ่น X7R 10F 10% รุ่น MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกอุตสาหกรรมหลายชั้น TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 รุ่น X7R 10F 10% รุ่น MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกอุตสาหกรรมหลายชั้น TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 รุ่น X7R 10F 10% รุ่น MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T

฿1,612.98

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน