All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป - Product Image 1

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป - Product Image 2

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป - Product Image 3

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป - Product Image 4

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป - Product Image 5

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป - Product Image 6

ผู้ผลิตจากไต้หวันสำหรับตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเคลือบอีพ็อกซี่ 3KV แรงดันสูง 1NF (102M) สำหรับงานทั่วไป

฿1.93-2.57

สั่งขั้นต่ำ: 3,000 ชิ้น

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 1

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 2

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 3

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 4

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 5

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 6

ชุดตัวเก็บประจุเซรามิก MSASE31LBB7226MTNA01/EMK316BB7226ML-T สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป

฿2.80-3.21

สั่งขั้นต่ำ: 20,000 ชิ้น

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz - Product Image 1

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz - Product Image 2

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz - Product Image 3

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz - Product Image 4

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz - Product Image 5

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz - Product Image 6

CASE-X-7343-43ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X477K010ATE100 (มม.) 470uF 10% 10V 100mOhm @ 100kHz

฿29.78-112.06

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นสำหรับ MSASG31LAB7106KTNB25/GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10%

฿0.3202

สั่งขั้นต่ำ: 1 แพ็ค

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520V107M010ATE025 รุ่น CASE-V-7343-19(มม.) 100uF 20% 10V 25mOhm@100kHz

฿0.3202-1.61

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม CD294, 85 องศาเซลเซียส, แบบ Snap-in 3300UF 160V ค่า ESR ต่ำ

฿89.65-105.66

สั่งขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T - Product Image 1

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T - Product Image 2

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T - Product Image 3

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T - Product Image 4

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T - Product Image 5

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T - Product Image 6

SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกดูดซับเสียงลักษณะ MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T

฿0.714-0.9605

สั่งขั้นต่ำ: 20,000 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม BFC236845473 ( ค่าความจุ: 47nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 250V )

฿9.61-38.10

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น