All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม.

฿0.6351-1.91

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VT336M050E7GRR0NB1VP0 ขนาด D6.3xL7.7 มม. 33uF 20% 50V 1000 ชั่วโมง-105 ℃

฿0.9526-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น ยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168BB5475KTNA01 TMK107BBJ475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น SMT ขนาด 0603 X5R - Product Image 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น ยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168BB5475KTNA01 TMK107BBJ475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น SMT ขนาด 0603 X5R - Product Image 2

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น ยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168BB5475KTNA01 TMK107BBJ475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น SMT ขนาด 0603 X5R - Product Image 3

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น ยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168BB5475KTNA01 TMK107BBJ475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น SMT ขนาด 0603 X5R - Product Image 4

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น ยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168BB5475KTNA01 TMK107BBJ475KA-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น SMT ขนาด 0603 X5R

฿0.3176

สั่งขั้นต่ำ: 1 แพ็ค

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFV3A683JG1H180TC100ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 68nF 5% 1kV

฿4.13-16.20

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V0D103MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม.

฿0.9526-4.13

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM108M025G20RR0VH2FP0 ขนาด D10xL20 มม. 1000uF 20% 25V 821mA-100kHz

฿1.91-7.31

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60EI4100AA30K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

฿16.83-63.19

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKS2D021001A00KSSD ( ค่าความจุ: 10nF )( ความแม่นยำ: 10%) ( แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

฿8.58-33.66

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น