All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1V331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 35V 670mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-6KV-D20-F12.5-332K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=12.5 มม.

฿27.61-103.77

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 0201CG3R3C500NT ขนาด 0201 ความจุ 3.3pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1001A102MV, ขนาด D10xL10 มม. ความจุ 1000uF 20% 10V 1.33A-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแท้ TAIYO YUDEN รุ่น 0805/2012 25V 4.7F 10% รหัส MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแท้ TAIYO YUDEN รุ่น 0805/2012 25V 4.7F 10% รหัส MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแท้ TAIYO YUDEN รุ่น 0805/2012 25V 4.7F 10% รหัส MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแท้ TAIYO YUDEN รุ่น 0805/2012 25V 4.7F 10% รหัส MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแท้ TAIYO YUDEN รุ่น 0805/2012 25V 4.7F 10% รหัส MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแท้ TAIYO YUDEN รุ่น 0805/2012 25V 4.7F 10% รหัส MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5HKS10 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 10nF 0%~+100% 1kV 9.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

EEETK1C222AM ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 2200uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿50.14-182.14

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1