All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น MAL214251102E3 ขนาด D12.5xL27 มม. 1000uF 20% 50V 1.282A-10kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 0603 1608 1uF X7R 25V 10% รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 0603 1608 1uF X7R 25V 10% รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 0603 1608 1uF X7R 25V 10% รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 0603 1608 1uF X7R 25V 10% รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 0603 1608 1uF X7R 25V 10% รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 0603 1608 1uF X7R 25V 10% รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

0603F475M100NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V ) - Product Image 1

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V ) - Product Image 2

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V ) - Product Image 3

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V ) - Product Image 4

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V ) - Product Image 5

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V ) - Product Image 6

PA500LV337M0D ตัวเก็บประจุแบบแข็ง SMD,4.3x7.3 มม. ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 2V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LPH821M30060FVA ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL60 มม. 820uF 20% 350V ขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKXG251ELL470MK20S ขนาด D12.5xL20 มม. 47uF 20% 250V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น SMPC_154K0400DB1515, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 400V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1