All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ บั้ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

TAJE476K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-E-7343-43(มม.) ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

฿31.36-118.13

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF472J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 4.7nF 5% 400V

฿0.9501-4.12

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B-16V-22uF-K รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 16V )

฿2.22-9.19

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม EI3322JJ4FTT ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์

฿0.3167-1.91

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿0.9501-3.49

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม.

฿1.91-7.29

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TAJC476M006RNJ รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

฿5.39-20.91

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-472K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿0.9501-3.17

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น