All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ บั้ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น GF152M016G250A (THT), ขนาด D10xL25 มม. 1500uF 20% 16V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD102K-NRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น W12F1D472MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW271M1VTR-1010 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D10xL10 มม. 270uF 20% 35V 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32529C1104J289 แบบ Through hole, ระยะขา P=5 มม. 100nF 5% 100V ผลิตจากเมทัลไลซ์โพลีเอทิลีนเทเรฟทาเลต (PET)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 593D476X9020D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1