All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ บั้ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 1uF 25V X7R 10% 0603 SMD รุ่น MSAST168SB7105KTNA01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RGA332M1EBCF1040 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D10xL40 มม. 3300uF 20% 25V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM226M400J17RR0VH2FP0 ขนาด D13xL17 มม. 22uF 20% 400V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

EEEFC1C101AP ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz - Product Image 1

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz - Product Image 2

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz - Product Image 3

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz - Product Image 4

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz - Product Image 5

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz - Product Image 6

MAL202138339E3ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6xL10mm 33uF 20% 63V 140mA-10kHz

฿32.05-116.46

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz - Product Image 1

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz - Product Image 2

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz - Product Image 3

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz - Product Image 4

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz - Product Image 5

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz - Product Image 6

LKMJ2002G680MF ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอลูมิเนียมผ่านรูผ่าน D18xL20mm 68uF 20% 400V 1.53A-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นทางการแพทย์ TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% X7R 0603 SMD -55C +125C MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นทางการแพทย์ TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% X7R 0603 SMD -55C +125C MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นทางการแพทย์ TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% X7R 0603 SMD -55C +125C MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นทางการแพทย์ TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% X7R 0603 SMD -55C +125C MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นทางการแพทย์ TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% X7R 0603 SMD -55C +125C MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นทางการแพทย์ TAIYO YUDEN 1uF 25V 10% X7R 0603 SMD -55C +125C MSAST168SB7105KTNA01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1