All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ บั้ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 1

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 2

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 3

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 4

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 5

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A682JD2TAAA4JA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G332J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 3.3nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C241J104J20C400ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5มม. 100nF 5% 63V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม.

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F470JC1IESL5U31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5O1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม.

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50