All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ปา ปั๊ม น้ำ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR - Product Image 1

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR - Product Image 2

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR - Product Image 3

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR - Product Image 4

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR - Product Image 5

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR - Product Image 6

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกแรงดันสูง1206/3216ไดอิเล็กทริกสูง Taiyo Yuden MSASL31LAB7226KTNB25 LMK316AB7226KL-TR

฿0.9742-1.27

สั่งขั้นต่ำ: 20,000 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิก25V 1206/3216 X7R 10uF 10% Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก25V 1206/3216 X7R 10uF 10% Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก25V 1206/3216 X7R 10uF 10% Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก25V 1206/3216 X7R 10uF 10% Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก25V 1206/3216 X7R 10uF 10% Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก25V 1206/3216 X7R 10uF 10% Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 / TMK316AB7106KL-T

฿1,606.77

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222S335J90C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 22.5มม. 3.3UF 5% 450V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿14.55-56.62

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A12E1D222MN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม.

฿2.22-9.18

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32520C0105K000 ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V )

฿14.24-55.04

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206มล. ดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01 EMK316BBJ476ML-T

฿4,578.97-4,819.99

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 1

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 2

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 3

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 4

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 5

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 6

CT81M5Y5V1D102MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 1nF 20% 2kV Y5V

฿0.6326-2.22

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม.

฿1.27-6.01

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: